AOB462L技术参数

AOB462L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，采用TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高效率功率转换和开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，在硅片层面实现了低栅极电荷与低导通电阻的出色平衡，这一特性对于提升开关频率和降低导通损耗至关重要。该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在常见的48V及以下总线电压系统中提供了充足的安全裕量，增强了系统的可靠性。

在电气性能方面，AOB462L展现出卓越的电流处理能力与低损耗特性。其在壳温（Tc）条件下可支持高达35A的连续漏极电流，而在环境温度（Ta）下为7A，这使其能够应对高瞬态或持续负载。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，Rds(On)最大值仅为17.7毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散，有助于提升整体能效并简化热管理设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在36nC（@10V），结合±20V的最大栅源电压容限，确保了快速、干净的开关切换，并降低了驱动电路的负担和开关损耗。

该器件提供了宽广的接口与参数适应性。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在30V条件下最大为2400pF，这些参数共同决定了器件的动态开关行为。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散在壳温条件下可达100W，赋予了其在严苛环境下的稳定运行潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品技术与供货支持。

基于其性能组合，AOB462L非常适合应用于需要高效功率处理的场景。典型应用包括DC-DC转换器（尤其是同步整流和开关拓扑）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类工业电源中的负载开关。其TO-263封装具有良好的散热性能，便于在空间受限但对功率密度和可靠性有较高要求的设备中实现紧凑布局，例如通信设备、服务器电源模块和电动工具等。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续替代型号的选型提供了重要参考基准。

• 型号:AOB462L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/35A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.7 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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