AO4468技术参数

AO4468是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，为30V以下的中低压应用提供了高效的功率开关解决方案。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至14毫欧（@11.6A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC（@10V），结合1200pF（@15V）的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高速开关并降低栅极驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准的逻辑电平驱动兼容良好，确保了在微控制器或数字信号处理器直接驱动下的可靠导通。

AO4468的接口参数定义了其稳健的工作边界。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为10.5A，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了充足的设计余量。器件采用表面贴装型8-SOIC封装，具有良好的散热能力和生产兼容性。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性，最大功率耗散为3.1W（Ta）。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和良好的热性能，AO4468非常适合用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制、负载开关以及电池保护电路。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品及相关设计资源。需要注意的是，该器件目前状态为不适用于新设计，在为新项目选型时应考虑其替代型号。

• 制造商产品型号：AO4468
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4468现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。