AOB66916L技术参数

AOB66916L是一款采用先进AlphaSGT技术平台开发的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高功率密度应用而设计。该器件采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，其核心架构通过优化的单元设计和沟槽栅工艺，显著降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关性能与传导损耗之间取得了卓越的平衡。

在功能特性方面，该MOSFET的漏源电压（Vdss）高达100V，为其在各类中压电源拓扑中的应用提供了坚实的电压裕量。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压、20A电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.6毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在78nC，结合±20V的宽泛栅源电压范围，使得驱动电路设计更为灵活，并能有效降低开关损耗，提升高频开关性能。

器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达120A，而在环境温度（Ta）下为35.5A，这体现了其强大的输出潜力。其最大功率耗散在壳温条件下高达277W，配合TO-263封装良好的热传导路径，确保了在高负载下的可靠运行。输入电容（Ciss）等动态参数经过精心优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS代理获取完整的设计资源与供应链服务。

基于其100V的耐压、极低的导通电阻、快速的开关特性以及宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），AOB66916L非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、高效率开关电源（SMPS）的同步整流和主开关、电机驱动控制、以及各类工业电源和新能源系统中的功率管理单元。

• 制造商产品型号：AOB66916L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：35.5A (Ta)，120A (Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：78nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6180pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：8.3W（Ta），277W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（D2Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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