AON7401_101技术参数

AON7401_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其P沟道设计简化了在许多应用中的栅极驱动电路，特别是在负载开关和电源路径管理中，无需额外的电平转换电路即可实现由逻辑电平信号直接控制高边开关。

该器件在10V栅源电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至14毫欧（在9A条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为39nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关特性和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种低压电源系统的需求。

在电气参数方面，AON7401_101提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为12A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达35A，这得益于其优异的封装热性能，最大结温（TJ）可达150°C。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品技术支持和供货信息。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

凭借其性能组合，该MOSFET非常适用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的DC-DC转换器、电池保护电路和负载开关。此外，在分布式电源系统、电机驱动控制模块以及需要高边功率切换的各类消费电子和工业控制设备中，它也能发挥关键作用，有效管理功率分配并减少整体方案的尺寸。

• 制造商产品型号：AON7401_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7401_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。