AOC2413技术参数

AOC2413是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的4-AlphaDFN（1.57mm x 1.57mm）表面贴装封装，专为空间受限且对功率密度有较高要求的现代电子设备设计。其核心架构基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过优化的半导体工艺实现了在极低导通电阻与快速开关性能之间的出色平衡。

该芯片的关键特性在于其优异的电气性能。它具备8V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度下可支持高达3.5A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在驱动电压（Vgs）为2.5V、漏极电流（Id）为1.5A的条件下，最大值仅为28毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为650mV，而栅极电荷（Qg）在Vgs=4.5V时最大值仅为27nC，这些参数共同确保了器件具备出色的驱动兼容性和快速的开关速度，特别适合由低电压逻辑电路直接控制的应用场景。

在接口与参数方面，AOC2413的栅源电压（Vgs）最大额定值为±5V，为设计提供了安全的裕量。其输入电容（Ciss）在Vds=4V时最大值为1935pF，结合低栅极电荷特性，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件的最大功率耗散为550mW（Ta），并支持宽泛的结温工作范围（-55°C 至 150°C），保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品详情与供应链服务。

凭借其紧凑的尺寸和高效能，AOC2413非常适合应用于对空间和效率都极为敏感的领域。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等消费电子设备中的负载开关、电源管理模块（如电池反接保护、DC-DC转换器中的同步整流或负载点转换）以及各类低压电机驱动控制。其设计旨在为工程师提供一个高性价比、高可靠性的解决方案，以优化终端产品的整体性能和电池续航时间。

• 型号:AOC2413
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:4-AlphaDFN（1.57x1.57）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 3.5A 4ALPHADFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，2.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 1.5A，2.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:650mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1935 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:550mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:4-AlphaDFN（1.57x1.57）
• 封装/外壳:4-SMD，无引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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