AOW290技术参数

AOW290 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件采用 TO-262 通孔封装，其核心设计旨在实现高电压与高电流下的高效功率处理与开关控制。其架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过先进的沟槽或平面工艺，在保证 100V 漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效降低了导通损耗。

该 MOSFET 的显著特性在于其卓越的电流承载能力与极低的导通阻抗。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流高达 140A，展现了强大的功率处理潜力；而在环境温度（Ta）下，额定电流为 17.5A，适用于多种工作环境。更关键的是，在 10V 驱动电压（Vgs）和 20A 测试条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为 3.2 毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）在 10V 时为 126nC，结合 7180pF 的输入电容（Ciss），决定了其在开关应用中的动态性能，需要在驱动电路设计时予以考量。

在电气接口与参数方面，AOW290 的栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±20V，为驱动设计提供了安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.1V，属于标准逻辑电平兼容范围。器件的热性能参数突出，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达 500W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），确保了其在严苛热环境下的可靠性与鲁棒性。对于需要本地技术支持和供应链服务的客户，可以联系 AOS中国代理 获取相关产品信息与支持。

基于其 100V 的耐压、高电流能力和低导通电阻，AOW290 非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC 转换器的高/低侧开关、电机驱动控制以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关部分。其 TO-262 封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在功率板上进行安装和热管理。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍可作为同类功率开关器件选型与评估的参考基准。

• 制造商产品型号：AOW290
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17.5A(Ta)，140A(Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：126nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7180pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），500W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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