

AOC2802_001技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:4-UFBGA,WLCSP
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 4WLCSP
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AOC2802_001技术参数详情说明:
AOC2802_001是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进4-WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)封装的N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET,采用共漏极连接配置,专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其紧凑的封装形式极大地节省了PCB空间,使其成为对尺寸有严格限制的便携式电子设备的理想选择。
该芯片的核心优势在于其优异的电气性能。在4.5V栅极驱动电压下,其导通电阻(RDS(on))典型值仅为35毫欧(在3A电流条件下),这有助于显著降低导通损耗,提升系统整体效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在10.4nC(@4.5V),较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,这对于高频开关应用至关重要。其漏源击穿电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)可达6A,能够满足多种中低压、中电流场景的需求。
AOC2802_001的接口设计简洁高效。其表面贴装型(SMT)的4-UFBGA(WLCSP)封装不仅提供了极小的占板面积,还优化了热性能。器件支持-55°C至150°C的宽结温(TJ)工作范围,确保了在苛刻环境下的可靠运行。其输入电容(Ciss)典型值较低,有助于简化栅极驱动电路的设计。尽管该产品目前已处于停产状态,但通过正规的AOS一级代理渠道,客户仍可获得可靠的技术支持和供应链服务,以保障现有设计的持续生产与维护。
在应用层面,凭借其高效率、小尺寸和双通道集成的特点,该器件非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品的电源路径管理、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或负载开关。其快速开关特性也使其能够应用于需要高效功率切换的便携式设备模块中。
- 制造商产品型号:AOC2802_001
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 4WLCSP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:2 N 沟道(双)共漏
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1200pF @ 10V
- 功率-最大值:1.3W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:4-UFBGA,WLCSP
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOC2802_001现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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