AOU4S60技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
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AOU4S60技术参数详情说明：
AOU4S60 是一款采用TO-251-3（IPAK）通孔封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的aMOS产品系列。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理能力。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，确保了系统在电网波动或感性负载开关过程中的可靠性。
在电气性能方面，该器件在25°C壳温（Tc）下可提供高达4A的连续漏极电流，并具备56.8W的强散热能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值为900毫欧，这一特性有助于降低导通损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC @ 10V，结合263pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，能够实现快速的开关转换，有效减少开关损耗，尤其适合高频开关应用。
该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.1V，并支持高达±30V的栅源电压，这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取原厂技术支持与供货保障。
综合其高压、中电流、低栅极电荷及良好的热性能，AOU4S60非常适用于各类AC-DC电源转换器、LED照明驱动、电机控制辅助电源以及家用电器中的功率开关电路。其TO-251封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了PCB空间利用率，是工程师在构建紧凑型、高效率功率系统时的一个经典选择。
- 制造商产品型号：AOU4S60
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：aMOS
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：263pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：56.8W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-251-3
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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