AOD1R4A70技术参数

AOD1R4A70是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在TO-252（DPAK）紧凑型封装内实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在高效管理功率转换过程中的能量损耗，为高压开关应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项关键电气特性。高达700V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，提升了系统的鲁棒性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.4欧姆（@1A），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效。同时，最大栅极总电荷（Qg）仅为8nC（@10V），结合354pF的输入电容（Ciss），意味着其开关速度快，栅极驱动损耗小，有利于在高频开关电源设计中优化效率并降低电磁干扰（EMI）。

在接口与参数方面，AOD1R4A70采用标准的表面贴装TO-252封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为3.8A，最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.1V，具有良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为48W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地化技术支持和供货保障的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细的产品资料、样品及采购服务。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，此器件非常适合应用于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源以及家用电器和工业设备中的电机控制、继电器替代等场景。它是工程师在构建高效、紧凑型高压功率系统时的优选功率开关元件之一。

• 制造商产品型号：AOD1R4A70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 3.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252（DPAK）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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