AOD516_002技术参数

AOD516_002是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的紧凑性，其结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。

在电气性能方面，该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为30V，能够满足多种低压应用场景的需求。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值低至5毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着它具备快速的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，提升高频应用的性能。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现良好的导通特性，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，与常见的逻辑电平驱动兼容性好。

该器件的电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达46A，而在环境温度（Ta）下为18A，配合最大50W（Tc）的功率耗散能力，使其能够承载可观的功率等级。这些参数共同构成了其高效率、低损耗与强电流能力的核心优势。对于需要采购或获取更详细技术支持的客户，可以联系官方AOS代理商。

基于其性能参数，AOD516_002非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类低压大电流的电源管理模块。其快速开关特性也使其适合于高频开关电源设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在诸多现有设备和方案中仍具有重要参考价值。

• 制造商产品型号：AOD516_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD516_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。