AOD21357技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD21357 是一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，其设计旨在提供卓越的功率密度和开关效率。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过精密的制造工艺实现了极低的栅极电荷和输入电容，这对于提升高频开关应用中的整体性能至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其30V的漏源电压（V_DSS）额定值使其非常适用于低压、大电流的电源管理场景。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）高达70A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅源驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为8毫欧，极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.3V，配合±25V的最大栅源电压，提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。

在动态参数方面，AOD21357 在10V V_GS下的总栅极电荷（Q_g）最大值仅为70nC，同时在15V V_DS下的输入电容（C_iss）最大值为2830pF。这些优异的开关特性共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使得器件在频繁开关的工况下仍能保持低温升和高可靠性。其最大功率耗散为78W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过AOS授权代理进行采购。

基于其高性能参数组合，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载开关，笔记本电脑和台式机的电源管理模块，以及各类便携式电子设备中的电池保护电路和功率分配单元。其TO-252封装兼顾了优异的散热性能与PCB占板面积，是工程师在高功率密度设计中实现高效、紧凑解决方案的理想选择。

• 型号:AOD21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD21357现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。