AOD21357技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD21357 是一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，其设计旨在提供卓越的功率密度和开关效率。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过精密的制造工艺实现了极低的栅极电荷和输入电容，这对于提升高频开关应用中的整体性能至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其30V的漏源电压（V_DSS）额定值使其非常适用于低压、大电流的电源管理场景。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）高达70A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅源驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为8毫欧，极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.3V，配合±25V的最大栅源电压，提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。

在动态参数方面，AOD21357 在10V V_GS下的总栅极电荷（Q_g）最大值仅为70nC，同时在15V V_DS下的输入电容（C_iss）最大值为2830pF。这些优异的开关特性共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使得器件在频繁开关的工况下仍能保持低温升和高可靠性。其最大功率耗散为78W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过AOS授权代理进行采购。

基于其高性能参数组合，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载开关，笔记本电脑和台式机的电源管理模块，以及各类便携式电子设备中的电池保护电路和功率分配单元。其TO-252封装兼顾了优异的散热性能与PCB占板面积，是工程师在高功率密度设计中实现高效、紧凑解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD21357
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2830pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：78W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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