AON7452技术参数

AON7452是一款采用先进SDMOS技术平台的N沟道功率MOSFET，采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在100V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心设计旨在降低功率损耗，提升系统效率，尤其适用于对空间和热管理有严格要求的应用环境。

该MOSFET具备多项关键电气特性。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可支持高达5.5A的电流，这为不同散热条件下的应用提供了设计灵活性。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和2.5A漏极电流条件下，最大值仅为310毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值也控制在185pF @ 50V，这些低电荷参数意味着所需的驱动能量更小，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与可靠性方面，AON7452的栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了较强的栅极耐压能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.7V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围。器件的最大功率耗散在环境温度下为3.1W（Ta），在管壳温度下可达17W（Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品、供货及设计协助等详细信息。

综合其100V的耐压、适中的电流能力、优异的导通与开关特性，AON7452非常适合于空间受限的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及各类电源管理模块中作为主开关或同步整流元件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类应用中仍具有重要的参考价值，体现了AOS在功率半导体领域的技术积累。

• 型号:AON7452
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta），5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:185 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），17W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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