AOD3C60技术参数

AOD3C60是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡，为高压开关应用提供了一个可靠且高效的半导体解决方案。

该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关浪涌。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（Vgs）和1A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.4欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合648pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在接口与参数层面，AOD3C60在壳温（Tc）条件下支持高达3A的连续漏极电流，最大功耗可达89W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。器件的结温（Tj）工作范围覆盖-50°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理商获取相关技术支持和库存信息。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，该MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的电机控制等应用场景。其TO-252封装兼顾了功率耗散能力与PCB占板面积，是空间受限但要求一定功率等级的设计中的常见选择。

• 型号:AOD3C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:648 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:89W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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