AOD3C60技术参数

AOD3C60是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡，为高压开关应用提供了一个可靠且高效的半导体解决方案。

该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关浪涌。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（Vgs）和1A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.4欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合648pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在接口与参数层面，AOD3C60在壳温（Tc）条件下支持高达3A的连续漏极电流，最大功耗可达89W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。器件的结温（Tj）工作范围覆盖-50°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理商获取相关技术支持和库存信息。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，该MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的电机控制等应用场景。其TO-252封装兼顾了功率耗散能力与PCB占板面积，是空间受限但要求一定功率等级的设计中的常见选择。

• 制造商产品型号：AOD3C60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 3A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：648pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：89W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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