AOW15S65技术参数

AOW15S65是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-262通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的晶圆工艺和封装技术，实现了在650V高阻断电压下依然保持较低的传导损耗。

该器件具备多项突出的电气特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电网电压波动和开关尖峰，确保了系统的可靠性与安全性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至290毫欧（@7.5A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.2nC，结合841pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，有助于提升开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与参数层面，AOW15S65在25°C壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值为15A，最大功耗可达208W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕量。器件的工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。其TO-262封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行安装与热管理。

• 制造商产品型号：AOW15S65
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 15A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：841pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW15S65现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。