AOD3N50技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 技术参数：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
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AOD3N50技术参数详情说明：
AOD3N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装形式为表面贴装型TO-252（D-Pak）。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在优化高电压下的导通与开关性能。其栅极结构经过特别设计，以实现低栅极电荷与低导通电阻的平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。
该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.8A，结合仅3欧姆（在1.5A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有较低的传导损耗。其栅极驱动特性优异，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而驱动电压（Vgs）推荐值为10V，最大可承受±30V，这为驱动电路的设计提供了宽裕的安全裕度和灵活性。
在动态参数方面，AOD3N50表现出色。栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为8nC，同时输入电容（Ciss）在25V下最大值为331pF，这些低电荷特性显著降低了开关过程中的驱动损耗，有助于实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积。其最大功耗为57W（Tc），宽广的工作结温范围（-50°C ~ 150°C TJ）保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商进行采购与咨询。
凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的中功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、LED照明驱动电源、家用电器中的电机控制以及工业电源中的辅助电源模块。其TO-252封装提供了良好的散热能力与便于自动化生产的表面贴装工艺，是工程师在优化系统功率密度与成本时的理想选择。
- 制造商产品型号：AOD3N50
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
- 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD3N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
