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AO3401A技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SOT-23-3L
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
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AO3401A技术参数详情说明:

AO3401A是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 设计生产的P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3L表面贴装封装,其核心架构旨在实现低导通电阻(Rds(on))与低栅极电荷(Qg)的优化平衡,这对于提升开关电源和负载开关应用的效率至关重要。其沟道设计有效降低了导通损耗,同时快速的开关特性有助于减少开关过程中的能量损失。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V,在25°C环境温度下可支持高达4A的连续漏极电流。其导通电阻在10V驱动电压(Vgs)和4.3A漏极电流条件下,典型值低至44毫欧,确保了在导通状态下极低的功率损耗。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V,结合较低的驱动电压要求(2.5V即可获得较低的Rds(on)),使其能够轻松被3.3V或5V的逻辑电平信号直接驱动,简化了驱动电路设计。此外,其栅极电荷(Qg)最大值仅为12.2nC,输入电容(Ciss)也得到良好控制,这共同促成了快速的开关瞬态响应,减少了开关损耗并提升了系统在高频工作下的性能。

在接口与参数方面,AO3401A的栅极-源极电压(Vgs)最大额定值为±12V,提供了安全的驱动电压裕量。其最大功耗为1.4W(Ta),结温工作范围宽达-55°C至150°C,确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品、数据手册以及设计支持服务。

凭借其优异的性能组合,AO3401A非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器中的负载开关和同步整流、电池供电设备的电源管理模块(如智能手机、平板电脑)、电机驱动控制电路中的预驱动级,以及各类需要高效功率切换的便携式电子产品和工业控制模块。其SOT-23封装形式使其成为对PCB面积有严格限制的设计中的理想选择。

  • 制造商产品型号:AO3401A
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:不用於新
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1200pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SOT-23-3L
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO3401A现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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