AOD3N50_002技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD3N50_002 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为在高压、高效率的开关电源应用中实现可靠的性能而设计。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的单元设计和工艺控制，在高达500V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了导通电阻与栅极电荷之间的良好平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项关键特性以提升系统整体效能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值仅为3欧姆，有助于减少通态功率耗散。同时，最大栅极电荷（Qg）低至8nC（@10V），结合最大输入电容（Ciss）为331pF（@25V），意味着栅极驱动需求简单，能够实现快速开关并降低驱动电路的损耗。器件支持±30V的最大栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（@250A），确保了在噪声环境下的稳定关断能力。

在电气参数方面，AOD3N50_002在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为2.8A，最大功率耗散能力为57W（Tc）。其宽广的结温工作范围覆盖-50°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境条件。这些稳健的参数设计使其接口兼容性良好，易于集成到常见的PWM控制器驱动电路中。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方AOS授权代理进行采购咨询，以获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其高压能力和良好的开关特性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的电机控制等场景。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，并凭借其TO-252封装提供的良好散热特性，确保系统在长期运行中的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AOD3N50_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD3N50_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。