AON6482技术参数

AON6482是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装器件中。该器件专为在有限空间内实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的芯片布局和封装工艺，确保了出色的电气性能与热管理能力。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压裕量，适用于多种中压应用环境。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，典型值仅为37毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC @ 10V，结合较低的输入电容，显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在电流处理能力方面，AON6482在环境温度（Ta）25°C下可支持5.5A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其连续电流能力高达28A，展现了强大的峰值电流承载和散热潜力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值为2.7V @ 250A，确保了与低电压逻辑电平驱动的良好兼容性。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合2.5W（Ta）和63W（Tc）的功率耗散能力，保证了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过AOS授权代理进行采购。

凭借上述特性，AON6482非常适合应用于需要高效率功率转换和紧凑布局的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源适配器、工业电源和LED照明驱动。其DFN封装形式也使其成为空间受限的便携式电子设备和模块化设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6482
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Ta），28A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），63W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6482现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。