AOD3T40P技术参数

AOD3T40P是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡。该器件采用标准的N沟道增强型结构，栅极由二氧化硅绝缘层隔离，确保了可靠的驱动隔离与稳定的开关特性。

该器件具备400V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对反激式拓扑中常见的电压应力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、1A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.3Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC @ 10V，结合139pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的栅极驱动需求，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，AOD3T40P的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其最大功耗为35W（Tc），结温工作范围覆盖-50°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过AOS中国代理获取详细的技术支持与供应链信息。

凭借其高耐压、适中的电流能力以及TO-252封装带来的良好散热性与PCB占板面积平衡，这款MOSFET非常适用于中小功率的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源以及直流-直流转换器中的高压侧开关。其特性使其成为对成本、效率与可靠性均有要求的工业控制、消费电子及照明应用中的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD3T40P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 2A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：139pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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