AON7536技术参数

AON7536是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3mm x 3.3mm）封装，集成了裸露的散热焊盘（EP），为表面贴装应用提供了优异的散热性能和占板面积效率。其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，内部架构优化了单元密度和沟道迁移率，从而在给定的芯片面积内将功率损耗降至最低。

该器件在漏源电压（Vdss）为30V的额定值下工作，展现出卓越的开关性能。其关键电气特性包括在10V栅极驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.2毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），结合2350pF（@15V）的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟时间被显著减少，非常适合高频开关应用。

在电流承载能力方面，AON7536在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为24A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达68A，体现了其强大的峰值电流处理能力和封装的热管理效能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，标准驱动电压范围为4.5V至10V，与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容良好。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关服务与产品信息。

基于其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET主要面向空间受限且对效率要求高的直流-直流（DC-DC）同步整流、电机驱动控制、负载开关以及电池保护电路等应用场景。尤其是在服务器、通信设备、笔记本电脑的电源管理系统，以及电动工具、无人机等便携式设备的电机驱动模块中，它能有效提升功率转换级的整体性能，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的终端产品设计。

• 制造商产品型号：AON7536
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 24A/68A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），68A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2350pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），32.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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