AOD403L技术参数

AOD403L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效的开关性能。其P沟道设计简化了在许多电源管理电路中的驱动要求，特别是在负载开关或电源路径控制应用中，无需额外的电平转换电路即可由逻辑电平信号直接控制高侧开关。

该器件的一个突出特点是其极低的导通电阻，在Vgs为20V、Id为20A的条件下，Rds(On)最大值仅为6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，尤其是在大电流工作条件下。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在120nC @ 10V，有助于降低开关损耗并提升开关频率潜力，这对于追求高效率和高功率密度的现代开关电源设计至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在电气参数方面，AOD403L的连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达70A，在环境温度（Ta）下为15A，漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于中低压应用场景。其栅源驱动电压（Vgs）最大额定值为±25V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电路良好兼容。最大功率耗散在壳温条件下高达90W，结合其低热阻的TO-252封装，为散热设计提供了便利。对于需要获取详细技术资料或样品支持的工程师，可以联系AOS中国代理以获取进一步的服务。

凭借其性能组合，该MOSFET非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源分配系统中的负载开关。其表面贴装形式和稳健的电气特性使其成为空间受限且对效率和可靠性有较高要求的消费电子、工业控制及通信设备电源方案的优选元件之一。

• 制造商产品型号：AOD403L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：120nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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