AOB160A60L技术参数

AOB160A60L是Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，从而有效降低高频应用中的开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压提供了宽裕的安全工作裕量，使其能够从容应对工业电源和电机驱动中常见的电压尖峰。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，12A电流时导通电阻最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的功率密度。同时，最大栅极电荷(Qg)低至46nC，结合3.6V的典型阈值电压，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，并降低对栅极驱动电路的要求，简化设计。

在接口与关键参数上，AOB160A60L采用行业标准的TO-263 (D2Pak)表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度。其连续漏极电流在壳温条件下额定为24A，最大允许栅源电压为±20V，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。较低的输入电容和优化的动态参数使其易于融入现有的电路布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，AOB160A60L非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它常被用作开关模式电源(SMPS)中的主开关或PFC（功率因数校正）电路中的开关管，特别是在服务器电源、通信电源等中高功率领域。此外，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及新能源领域的逆变器系统中，它也能有效承担功率开关的角色，助力系统实现高效率和高功率密度目标。

• 型号:AOB160A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB160A60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。