AOD403_DELTA技术参数

AOD403_DELTA是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-252（D-Pak）封装的高性能P沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的功率处理能力。其P沟道架构简化了在许多应用中的驱动电路设计，特别是在需要高侧开关或由正电源直接驱动的场景中，能够有效减少元件数量并提升系统可靠性。

该芯片的关键电气性能表现突出。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种中低压应用的需求。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(On)）在20V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为6.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为61nC @ 10V，结合3.5V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源等应用的频率和效率。

在热性能和可靠性方面，AOD403_DELTA展现了强大的鲁棒性。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达70A，在环境温度（Ta）下为15A，表明其具备出色的电流承载能力。器件最大功率耗散在壳温条件下可达90W，结合其-55°C至155°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。表面贴装型的TO-252封装提供了良好的散热路径，便于通过PCB铜箔进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取产品技术与供货信息。

综合其参数特性，该器件非常适用于需要高效功率切换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源分配单元。其优异的导通电阻、开关特性和热性能，使其成为工程师在设计紧凑、高效能电子系统时，一个值得考虑的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOD403_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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