AOD409_002技术参数

AOD409_002是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件基于先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高电压下的高效功率切换与控制。其架构优化了沟道电阻与栅极电荷的平衡，从而在提供强大电流处理能力的同时，有效降低了开关损耗和导通损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，能够可靠地工作在多种中压电源环境中。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达26A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为40毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗，对于电池供电或高功率密度应用尤为重要。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。

在动态参数方面，在10V Vgs下的最大栅极电荷（Qg）为54nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关速度并降低栅极驱动电路的负担。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了充足的驱动裕量。该器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达60W，配合TO-252封装良好的热性能，能够有效管理热量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取产品信息和技术支持。

凭借其60V/26A的额定值、低导通电阻和快速开关特性，AOD409_002非常适合应用于需要高效率功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的高端开关、电机驱动控制电路、电池保护与负载开关，以及各类电源逆变和功率分配系统。其表面贴装TO-252封装也便于自动化生产，满足现代电子设备对空间和制造效率的要求。

• 型号:AOD409_002
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD409_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。