AOD496技术参数

AOD496是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其30V的漏源击穿电压（Vdss）为低压应用提供了充足的安全裕度，而62A（Tc）的连续漏极电流额定值则确保了其在严苛负载条件下的稳定运行能力。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的开关性能与导通效率。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至9.5毫欧（在20A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为23nC @ 10V，配合2.5V @ 250A的较低栅极阈值电压（Vgs(th)），使得器件能够被快速驱动，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。其输入电容（Ciss）在15V下为1200pF，进一步优化了栅极驱动的动态特性。

在电气接口与参数方面，AOD496支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应从工业到消费电子等各种环境。器件在25°C环境温度下的最大功率耗散为2.5W（Ta），而在管壳温度为25°C时，最大耗散可达62.5W（Tc），这突显了其封装在良好散热条件下的强大热性能。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高电流容量、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合作为低压、大电流场景中的主开关或同步整流元件。其典型应用领域包括DC-DC转换器（如服务器、显卡的VRM）、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类电源管理模块。TO-252封装兼顾了功率处理能力与PCB占板面积，是空间受限但要求高效率设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD496
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：62A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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