AOD4S60技术参数

AOD4S60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和工艺制程，在TO-252（D-Pak）紧凑型封装内实现了600V的高压阻断能力与低导通电阻的良好平衡。其设计重点在于提升功率转换系统的效率和可靠性，特别是在开关电源等需要快速切换和高电压耐受性的应用中。

该MOSFET的核心优势体现在其静态与动态电气参数上。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和2A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为900毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC @ 10V，结合263pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着极低的栅极驱动损耗和快速的开关速度，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。器件具备±30V的宽栅源电压耐受范围，提供了更强的栅极驱动鲁棒性。

在接口与可靠性参数上，AOD4S60在壳温（Tc）条件下支持4A的连续漏极电流，最大功耗可达56.8W。其漏源击穿电压（Vdss）为600V，确保了在高压母线应用中的安全裕量。器件采用表面贴装型TO-252封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的工艺兼容性。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。如需获取样品或批量采购支持，可以联系官方授权的AOS代理商。

凭借600V的耐压等级和优化的开关特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及LED照明驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效处理高电压，同时通过低导通电阻和低栅极电荷来提升整体能效，是工程师设计高效、紧凑型功率转换解决方案时值得考虑的高性价比元件。

• 型号:AOD4S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:263 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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