AOT12N30L技术参数

AOT12N30L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件在栅极结构上进行了精心设计，确保了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）维持在较低水平，这直接关系到开关速度与驱动损耗，对于提升系统整体效率至关重要。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达300V，使其能够稳定工作在高压离线式电源环境中。其在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值为11.5A，配合最大132W的功率耗散能力，赋予了器件出色的电流处理与散热性能。一个关键的性能指标是其导通电阻，在Vgs=10V、Id=6A的条件下，Rds(on)最大值仅为420毫欧，较低的导通损耗有助于减少导通期间的功率浪费，提升能效。

器件的栅极驱动特性经过优化，栅源阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，而最大栅源电压可承受±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其栅极总电荷Qg（最大值）在Vgs=10V时仅为16nC，结合790pF（最大值）的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量较小，能够有效降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。这种特性使其非常适合高频开关应用。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取产品与相关服务。

基于其300V的耐压、11.5A的电流能力以及优异的开关特性，AOT12N30L非常适用于各类功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器以及电机驱动和逆变器中的功率开关部分。其TO-220封装形式兼顾了安装便利性与散热需求，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的可靠性与长寿命运行。

• 型号:AOT12N30L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 300V 11.5A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:132W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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