AOD516_050技术参数

AOD516_050是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中，适用于高密度PCB布局。其核心架构基于先进的沟槽技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，为电源管理应用提供高效的功率开关解决方案。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，展现出优异的电流处理能力。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）为18A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达46A，体现了其强大的散热设计潜力与高功率密度。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）及20A电流条件下最大值仅为5毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合最大33nC（@10V）的栅极电荷（Qg），确保了器件能够被标准逻辑电平信号有效驱动，并具备快速的开关速度，有利于降低开关损耗。

在电气参数方面，AOD516_050支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1229pF，是评估开关动态性能的关键参数之一。器件的功率耗散能力在环境温度下为2.5W，在管壳温度下则可达50W，这要求在实际应用中配合适当的散热设计以充分发挥其性能。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关性能，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类负载开关。其TO-252封装兼顾了功率处理能力与占板面积，是工业控制、消费电子和通信设备中空间受限但性能要求较高的电源系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD516_050
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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