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AOZ8035DI技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:EMI-RFI 滤波器(LC,RC 网络),12-UFDFN
  • 技术参数:IC EMI FILTER 6LINE ESD 12DFN
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AOZ8035DI技术参数详情说明:

AOZ8035DI是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款高度集成的多通道EMI滤波与ESD保护芯片,采用紧凑的12-UFDFN裸露焊盘封装,尺寸仅为2.50mm x 1.20mm x 0.60mm,专为空间受限的现代便携式电子设备设计。其核心架构基于二阶RC(Pi型)低通滤波器,每个通道由100欧姆电阻和28pF电容构成经典π型网络,在提供高达35dB @ 800MHz ~ 3GHz频段衰减的同时,有效抑制高频噪声干扰,截止频率设定为90MHz,确保信号完整性不受影响。

该器件集成了六个独立的滤波通道,可同时处理多路数据信号,每通道支持高达20mA的连续电流,满足典型移动设备接口的负载需求。其内置的ESD保护功能符合行业标准,为敏感的数据线路提供了可靠的静电防护屏障,增强了系统在恶劣环境下的鲁棒性。这种将滤波与保护功能合二为一的设计,显著减少了外围元件数量,简化了PCB布局,并降低了整体BOM成本。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取原厂正品和技术支持。

在接口与参数方面,AOZ8035DI的电阻-电容(R=100Ω, C=28pF)数值经过优化,在目标频段内实现了优异的插入损耗特性。其紧凑的封装不仅节省了宝贵的电路板空间,裸露焊盘的设计也提升了芯片的散热性能和机械焊接可靠性。这些特性使其能够无缝集成到高密度组装的设计中。

该芯片典型的应用场景集中于各类移动和便携式设备的数据线路保护与滤波,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的高速数据接口(如USB 2.0、MIPI D-PHY/C-PHY)、摄像头传感器接口、显示屏连接线等。在这些应用中,它能有效滤除由数字电路产生或外部耦合进入的电磁干扰(EMI),并抵御因人体接触或生产流程带来的静电放电(ESD)冲击,从而保障数据传输的稳定性和终端产品的可靠性,是提升产品电磁兼容性(EMC)性能的关键元器件。

  • 制造商产品型号: AOZ8035DI
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 功能总体简述: IC EMI FILTER 6LINE ESD 12DFN
  • 系列: -
  • 类型: 低通
  • 技术: RC(Pi)
  • 通道数: 6
  • 中心/截止频率: 90MHz(截止值)
  • 衰减值: 35dB @ 800MHz ~ 3GHz
  • 电阻 - 通道(欧姆): 100
  • 电流: 20mA
  • 数值: R = 100 欧姆,C = 28pF
  • ESD 保护: 是
  • 滤波器阶数: 2nd
  • 应用: 移动设备的数据线路
  • 封装/外壳: 12-UFDFN 裸露焊盘
  • 大小/尺寸: 0.098" 长 x 0.047" 宽(2.50mm x 1.20mm)
  • 高度: 0.024"(0.60mm)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOZ8035DI现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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