AOD5T40P_101技术参数

AOD5T40P_101是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件设计用于在开关电源、电机控制等应用中作为高效的功率开关元件，其核心架构基于优化的单元设计，旨在平衡导通电阻、栅极电荷和开关速度，从而在400V的中高压工作环境下实现较低的传导与开关损耗。

该MOSFET具备400V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于市电整流后或类似的高压总线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为3.9A，结合1.45Ω（典型条件下）的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为5V，而最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动的抗噪性和可靠性。此外，栅极总电荷（Qg）最大值仅为9nC，输入电容（Ciss）最大值为273pF，这些低电荷参数有助于降低驱动电路的负担，提升开关频率，减少开关过程中的能量损失。

在接口与热性能方面，器件采用标准的TO-252封装，便于自动化贴装与焊接。其最大功率耗散能力为52W（壳温条件下），工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境温度变化。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品的库存、技术资料与设计协助。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的性能参数使其在诸多存量设计与维护场景中仍具参考价值。其典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及直流电机驱动等中功率领域。在这些应用中，其良好的电压与电流能力、以及平衡的开关特性，有助于构建高效、紧凑的功率转换解决方案。

• 制造商产品型号：AOD5T40P_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.45 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：273pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：52W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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