AOD66923技术参数

AOD66923 是一款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT（Shielded Gate Trench）技术平台构建。该技术通过独特的屏蔽栅结构，在沟槽MOSFET的基础上实现了更优的电荷平衡，从而显著降低了器件的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，即FOM（Figure of Merit）值。这一核心架构上的优化，使得器件在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡，特别适用于高频开关应用。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达100V，提供了宽裕的电压设计余量。在导通特性方面，其最大导通电阻低至11mΩ（条件为V_GS=10V, I_D=20A），这意味着在相同电流下能产生更低的传导损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，且栅极总电荷（Q_g）最大值仅为35nC，这有助于降低驱动电路的负担，实现更快速、更高效的开关切换，减少开关损耗。

在封装与可靠性设计上，AOD66923采用行业通用的TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热能力和便捷的PCB组装工艺。其工作结温范围宽达-55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。根据测量条件的不同，其连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_a）下为16.5A，在管壳温度（T_c）下可达58A，而最大功耗在T_c条件下为73W，这些参数为散热设计提供了明确的依据。对于具体的应用设计与批量采购需求，可以咨询官方授权的AOS代理商以获取完整的技术支持和供应链服务。

基于其高耐压、低导通电阻、快速开关以及坚固的封装特性，AOD66923非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动与控制系统、锂离子电池保护电路以及各类电源管理和负载开关方案。它是工程师在开发工业设备、通信基础设施、消费类电子及汽车辅助系统等中高功率电源解决方案时的可靠选择。

• 型号:AOD66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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