AOD66923技术参数

AOD66923 是一款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT（Shielded Gate Trench）技术平台构建。该技术通过独特的屏蔽栅结构，在沟槽MOSFET的基础上实现了更优的电荷平衡，从而显著降低了器件的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，即FOM（Figure of Merit）值。这一核心架构上的优化，使得器件在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡，特别适用于高频开关应用。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达100V，提供了宽裕的电压设计余量。在导通特性方面，其最大导通电阻低至11mΩ（条件为V_GS=10V, I_D=20A），这意味着在相同电流下能产生更低的传导损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，且栅极总电荷（Q_g）最大值仅为35nC，这有助于降低驱动电路的负担，实现更快速、更高效的开关切换，减少开关损耗。

在封装与可靠性设计上，AOD66923采用行业通用的TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热能力和便捷的PCB组装工艺。其工作结温范围宽达-55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。根据测量条件的不同，其连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_a）下为16.5A，在管壳温度（T_c）下可达58A，而最大功耗在T_c条件下为73W，这些参数为散热设计提供了明确的依据。对于具体的应用设计与批量采购需求，可以咨询官方授权的AOS代理商以获取完整的技术支持和供应链服务。

基于其高耐压、低导通电阻、快速开关以及坚固的封装特性，AOD66923非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动与控制系统、锂离子电池保护电路以及各类电源管理和负载开关方案。它是工程师在开发工业设备、通信基础设施、消费类电子及汽车辅助系统等中高功率电源解决方案时的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOD66923
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：16.5A (Ta)，58A (Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1725pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W (Ta)，73W (Tc)
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252（DPAK）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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