AOTF5N50技术参数

AOTF5N50是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心在于优化了单元结构和沟道设计，以实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压开关应用中的可靠隔离与安全裕度，而1.5欧姆（在10V Vgs， 2.5A Id条件下）的典型导通电阻（Rds(on)）则有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。

在功能特性上，低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是其显著优势。栅极电荷最大值仅为19nC（@10V），输入电容最大值为620pF（@25V），这意味着驱动电路所需的开关能量较低，能够实现更快的开关速度并减少驱动损耗，特别适合高频开关电源应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全范围，而4.5V（@250A）的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）则确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。该器件在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为5A，最大功耗为35W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的电流处理能力和宽温域下的稳定性。

从接口与参数角度看，TO-220-3F封装提供了优异的机械强度和散热性能，便于通过散热器进行热管理。其电气参数组合高耐压、适中的电流能力、较低的导通电阻与开关损耗定义了一个高效的高压开关解决方案。对于需要可靠高压开关元件的设计工程师而言，通过正规的AOS代理商获取此器件，是保证供应链稳定与产品原装品质的重要途径。

基于其技术规格，AOTF5N50非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、电子镇流器以及DC-DC转换器等应用场景。在这些领域中，它能够胜任AC-DC适配器、工业电源、照明驱动等设备中的高压开关任务，帮助系统实现高功率密度和高可靠性。

• 制造商产品型号：AOTF5N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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