AOD9T40P技术参数

AOD9T40P 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件构建于优化的高压工艺平台之上，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡。其 400V 的漏源击穿电压（Vdss）为开关电源中的主开关或功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，有效增强了系统在浪涌和开关瞬态过程中的可靠性。

在电气性能方面，该器件在结温（Tc）条件下可支持高达 6.6A 的连续漏极电流，并展现出优异的导通特性。当栅源驱动电压（Vgs）为 10V 时，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，在 4A 电流下最大值仅为 800 毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 18nC @ 10V，结合 530pF @ 100V 的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

该 MOSFET 采用行业标准的 TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散可达 83W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围较宽，最大可承受 ±30V，为设计提供了灵活性。对于需要此型号进行设计维护或备货的客户，可以通过授权的 AOS代理商 获取相关技术支持和库存信息。

基于其 400V/6.6A 的额定参数和 TO-252 封装形式，AOD9T40P 非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及各类 AC-DC 变换器中的功率开关环节。其性能组合使其成为中低功率、高可靠性电源设计方案中一个经典且实用的功率开关选择。

• 制造商产品型号：AOD9T40P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 6.6A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：530pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD9T40P现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。