AOE6932技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的高性能功率MOSFET阵列，AOE6932集成了两个非对称的N沟道MOSFET于一个紧凑的8-VDFN封装内，为高功率密度和高效能应用提供了优化的解决方案。其核心架构采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。两个MOSFET的电气参数经过专门设计，使其在同步降压转换器等拓扑中能够分别担任上管和下管的角色，通过优化各自的栅极电荷和导通电阻，协同工作以最大化整体转换效率。

该器件的一个显著特点是其卓越的电流处理能力与低损耗特性。在25°C壳温条件下，两个MOSFET的连续漏极电流分别可达55A和85A，而导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs、20A Id条件下，典型值分别低至5毫欧和1.4毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极驱动需求经过优化，栅极电荷（Qg）最大值分别为15nC和50nC @ 4.5V，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，实现更高频率的开关操作。

在电气接口与参数方面，AOE6932的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其阈值电压（Vgs(th)）最大值分别为2.2V和1.9V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型封装，具备优异的散热性能和机械可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

凭借其高电流、低损耗和紧凑封装的特点，AOE6932非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和电源模块、笔记本电脑的CPU/GPU核心电压供电（VRM）、以及各类工业电源和电机驱动中的功率开关部分。其双管非对称集成的设计，使其成为构建高效率、高功率密度同步降压转换器的理想选择。

• 制造商产品型号：AOE6932
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：55A (Tc)，85A (Tc)
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V，1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A，1.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V，50nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V，4180pF @ 15V
• 功率-最大值：24W，52W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-VDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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