

AOK2500L技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-247
- 技术参数:MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
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AOK2500L技术参数详情说明:
AOK2500L是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用成熟的平面MOSFET技术,封装于工业标准的TO-247封装内。该器件基于优化的单元设计和先进的沟槽工艺,旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。其核心架构重点优化了栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)等关键动态参数,这对于高频开关应用中的效率提升和开关损耗降低至关重要。
该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源极额定电压(Vdss)为150V,为各类离线式开关电源、电机驱动和DC-DC转换器提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下,其连续漏极电流(Id)额定值为14A,而在管壳温度(Tc)条件下,该值可高达180A,展现了其强大的峰值电流处理能力和卓越的散热潜力。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值仅为6.2毫欧,这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。
在接口与参数方面,AOK2500L的栅极驱动电压范围宽泛,标准驱动电压为10V,同时栅源电压(Vgs)最大可承受±20V,增强了驱动电路的鲁棒性。其栅极总电荷(Qg)在Vds=75V、Vgs=10V条件下最大值为136nC,结合6460pF的输入电容(Ciss),意味着它能够被快速驱动,有利于实现更高的开关频率。器件采用通孔安装的TO-247封装,提供了优异的导热路径,其最大功耗在管壳温度(Tc)下可达500W,工作结温范围宽至-55°C至175°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取详细的技术支持与供货信息,可联系AOS中国代理。
凭借其高耐压、大电流、低导通电阻及良好的开关特性,AOK2500L非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器/通信设备的开关电源(SMPS)初级侧或同步整流、不间断电源(UPS)、工业电机驱动与控制器、大功率DC-DC转换模块以及新能源领域的太阳能逆变器和储能系统。它是工程师在设计高性能、高可靠性功率转换系统时的理想功率开关选择。
- 制造商产品型号:AOK2500L
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):150V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),180A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):136nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6460pF @ 75V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),500W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-247
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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