AOI482技术参数

AOI482 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。该器件采用 TO-251A（IPAK）通孔封装，为工程师在紧凑空间内实现高效散热和可靠的机械连接提供了便利。

在电气性能方面，该器件具备 100V 的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻特性尤为突出，在 10V 栅极驱动电压、10A 漏极电流条件下，Rds(On) 典型值低至 37 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 44nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

该 MOSFET 的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为 5A，而在管壳温度（Tc）下则可高达 32A，这突显了其 优异的散热性能和功率处理潜力。其阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.7V，且驱动电压范围宽（最大 RdsOn 对应 4.5V，完全开启建议 10V），与标准逻辑电平及 PWM 控制器兼容性好。器件支持高达 ±20V 的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其工作结温范围宽达 -55°C 至 175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

基于上述特性，AOI482 非常适合应用于需要高效率、高可靠性的中功率场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、电机控制（如电动工具、风扇）、蓄电池保护电路以及 LED 照明驱动。对于需要获取详细技术资料、样品或进行批量采购的客户，可以联系官方授权的 AOS中国代理 以获取全面的技术支持与供应链服务。需要注意的是，根据原始资料，此产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 型号:AOI482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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