AOI482技术参数

AOI482 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面型金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。该器件采用 TO-251A（IPAK）通孔封装，为工程师在紧凑空间内实现高效散热和可靠的机械连接提供了便利。

在电气性能方面，该器件具备 100V 的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻特性尤为突出，在 10V 栅极驱动电压、10A 漏极电流条件下，Rds(On) 典型值低至 37 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 44nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

该 MOSFET 的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为 5A，而在管壳温度（Tc）下则可高达 32A，这突显了其 优异的散热性能和功率处理潜力。其阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.7V，且驱动电压范围宽（最大 RdsOn 对应 4.5V，完全开启建议 10V），与标准逻辑电平及 PWM 控制器兼容性好。器件支持高达 ±20V 的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其工作结温范围宽达 -55°C 至 175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

基于上述特性，AOI482 非常适合应用于需要高效率、高可靠性的中功率场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、电机控制（如电动工具、风扇）、蓄电池保护电路以及 LED 照明驱动。对于需要获取详细技术资料、样品或进行批量采购的客户，可以联系官方授权的 AOS中国代理 以获取全面的技术支持与供应链服务。需要注意的是，根据原始资料，此产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 制造商产品型号：AOI482
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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