AON7140技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN
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AON7140技术参数详情说明：
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON7140 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构基于优化的单元布局和低阻抗金属化工艺，旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），从而在开关应用中实现更低的传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。
该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至2.3毫欧（@20A），这确保了在高达50A（TC）的连续漏极电流下，器件仍能保持较低的功率耗散，最大额定功率为46W（TC）。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为60nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），使得驱动电路的设计更为简便，能够实现快速开关并降低驱动损耗，这对于高频开关电源至关重要。
在接口与参数方面，AON7140 具备40V的漏源击穿电压（VDSS），提供了充足的电压裕量。其栅源阈值电压（VGS(th)）最大值为2.4V，并支持高达±20V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。该器件采用表面贴装形式，其增强型DFN封装具有良好的散热性能，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取此产品及相关设计资源。
凭借其高性能指标，AON7140 非常适合用于对效率和空间有严格要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流及DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类负载开关。其低RDS(on)和高电流处理能力使其成为构建高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。
- 制造商产品型号：AON7140
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3350pF @ 20V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：46W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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