AOI514技术参数

AOI514是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用TO-251A（IPAK）通孔封装，为工程师在空间和散热设计上提供了平衡的选择。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好结合，从而在开关电源、电机控制等应用中有效降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于低压直流总线系统。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为5.9毫欧，这意味着在导通状态下能产生极低的压降和功率损耗。其栅极驱动特性同样出色，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，而最大栅极电荷（Qg）仅为18nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速、高效的开关动作，减少开关过程中的能量损失。对于需要可靠技术支持和供货保障的客户，可以通过官方授权的AOS代理进行咨询和采购。

在电气参数方面，AOI514提供了灵活的电流承载能力参考，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为17A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达46A，这突显了其散热能力对性能提升的重要性。其最大功率耗散在Tc条件下可达50W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的稳定性和可靠性。输入电容（Ciss）最大值为1187pF，与低栅极电荷共同决定了其良好的高频开关潜力。

凭借30V的耐压、极低的导通电阻和优秀的开关特性，这款器件非常适合作为DC-DC转换器中的同步整流或主开关管，特别是在12V或24V输入的中高电流电源中。此外，它也广泛应用于电机驱动、电池保护电路、负载开关及低压逆变器等领域。其TO-251A封装兼顾了功率处理能力和通孔安装的便利性，是许多传统或需要高可靠性的PCB设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOI514
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1187pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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