AOL1424技术参数

AOL1424是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷的平衡，这是决定开关损耗和导通损耗的关键参数，从而在紧凑的封装内实现优异的功率处理能力与热性能。

该器件在电气特性上表现出色。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于常见的低压直流系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达70A，这突显了其强大的峰值电流处理能力和对散热设计的依赖。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为6.5毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并与4.5V/10V的驱动电压范围配合，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。

在动态性能方面，在10V Vgs条件下，其最大栅极电荷（Qg）为48nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为2170pF。该器件采用表面贴装型的UltraSO-8封装，这种封装在提供优异散热性能的同时，也满足了现代电子设备对高功率密度和小尺寸的要求。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术资料或采购支持，可以联系AOS代理。

综合其参数特性，AOL1424非常适合应用于需要高效率、高电流处理能力的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等场景。其优异的Rds(On)与Qg组合，使其成为同步整流、降压或升压拓扑中理想的高侧或低侧开关选择，尤其在对空间和能效有严格要求的消费电子、计算设备和工业控制系统中具有重要价值。

• 制造商产品型号：AOL1424
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/70A ULTRASO8
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：48nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2170pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：UltraSO-8
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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