AOI5N40技术参数

AOI5N40是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-251A（IPAK）通孔封装中。该器件基于优化的单元设计和工艺，旨在实现高耐压与低导通损耗的良好平衡，其核心架构确保了在开关电源等应用中能够提供稳定可靠的性能。

该器件具备一系列突出的电气特性。400V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对离线式反激、正激等拓扑中常见的电压应力，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为1.6欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.5nC，输入电容（Ciss）也控制在较低水平，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升高频开关电源的工作频率和功率密度。

在接口与参数方面，AOI5N40的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达4.2A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽泛且安全的驱动电压范围。其阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，具有良好的抗干扰能力。器件支持-50°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，最大功耗为78W（Tc），TO-251A封装兼具良好的散热性能和便于手工焊接或波峰焊的工艺兼容性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，AOI5N40非常适合应用于各类中低功率的AC-DC开关电源领域，例如手机充电器、适配器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源。它也可用于功率因数校正（PFC）电路的低压侧开关、电机驱动控制中的开关元件，或是作为电子镇流器中的核心开关器件，为设计工程师提供了一个在性能、可靠性和成本之间取得优异平衡的解决方案。

• 制造商产品型号：AOI5N40
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：78W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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