AOI8N25技术参数

AOI8N25是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-251A（IPAK）通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件在单一硅片上集成了高性能的栅极控制结构和低损耗的电流通路，确保了在开关应用中的快速响应和高效能转换。

该器件具备多项突出的电气特性。其250V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压设计余量，适用于离线式电源和高压直流总线环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达8A，支持较高的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压和1.5A漏极电流条件下典型值仅为560毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为7.2nC，结合306pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动需求低，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗，提升高频开关性能。

在接口与参数方面，AOS中国代理可提供全面的技术支持。AOI8N25的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.3V，具备良好的噪声抑制能力，而栅源电压可承受±30V的最大值，增强了应用的鲁棒性。其最大功耗为78W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。TO-251A封装提供了良好的散热性能和机械强度，便于在PCB上进行通孔安装。

基于其高耐压、大电流和快速开关的特性，AOI8N25非常适合于需要高效功率管理的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器以及电机驱动和逆变器中的功率开关。它在工业控制、消费类电子电源适配器、LED照明驱动等领域都能发挥关键作用，是实现紧凑、高效能电源解决方案的可靠选择。

• 型号:AOI8N25
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:306 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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