AON5802B技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AON5802B技术参数详情说明：

AON5802B是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc.（AOS）设计生产的双N沟道MOSFET阵列。该器件采用先进的共漏极架构，将两个独立的N沟道增强型MOSFET集成在单一紧凑的封装内，这种设计优化了电路板空间利用率，并简化了多开关应用的布局布线。其核心基于逻辑电平门驱动技术，确保了在较低的栅极驱动电压下即可实现高效、快速的开关动作，特别适合由现代微控制器或低电压逻辑电路直接驱动的场景。

该芯片具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，为常见的12V或24V系统提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达7.2A，能够承载可观的负载电流。更关键的是，在4.5V的低栅极驱动电压和7A电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为19毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为极低的传导损耗和发热量，显著提升了系统的整体能效和功率密度。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，配合较低的栅极电荷（Qg，最大值24nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值1150pF @ 15V），共同保证了快速开关速度和较低的驱动损耗，使其在高频开关应用中表现出色。

在接口与参数方面，AON5802B采用表面贴装型（SMD）的6-DFN封装，并带有裸露焊盘以增强散热性能，其最大功耗为1.6W。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购，以获得原厂品质保证和全面的应用支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET阵列非常适合用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括但不限于：服务器和通信设备的负载点（POL）DC-DC转换器中的同步整流或开关管、笔记本电脑和移动设备的电源管理模块、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，以及各类需要高效功率切换的便携式电子产品和工业控制模块。其紧凑的封装和优异的性能使其成为工程师设计高密度、高效率电源解决方案时的优选器件。