AOK095A60技术参数

AOK095A60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS5技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为要求高电压、大电流及高效率的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在保持快速开关特性的同时，实现了600V的漏源击穿电压（Vdss）与38A的连续漏极电流（Id）能力，为系统提供了坚固的电气安全裕度和强大的功率处理能力。

该MOSFET的功能特性围绕低损耗与高可靠性构建。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和19A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为95毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，器件拥有优化的动态参数，栅极总电荷（Qg）最大值为78nC，结合4010pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的操作，从而缩小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，AOK095A60提供了宽泛且稳健的工作条件。其栅极驱动电压范围宽至±20V，阈值电压Vgs(th)最大为3V，便于驱动电路设计。器件的热性能出色，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达378W，结合TO-247封装优良的散热特性，以及-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保障了其在恶劣环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及全面的技术支持。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的均衡性能，AOK095A60非常适用于工业级开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电机驱动及电焊机等领域的功率开关和整流应用。它能够有效提升功率级的效率与功率密度，是工程师设计高效、紧凑型高压功率系统的理想选择。

• 型号:AOK095A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:78 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4010 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:378W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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