AOK10N90技术参数

AOK10N90是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高压N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-247通孔封装中，为高电压、大功率应用提供了可靠的半导体解决方案。其核心设计旨在实现高阻断电压下的高效开关与功率处理能力，内部结构优化了电流通路与电场分布，以应对严苛的工作环境。

该器件具备900V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动与开关尖峰。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，结合403W的最大功率耗散能力，展现了出色的功率承载潜力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、5A漏极电流条件下最大值为980毫欧，较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。栅极电荷（Qg）最大值仅为75nC @ 10V，配合±30V的最大栅源电压（Vgs）容限，意味着它能够实现较快的开关速度，同时为栅极驱动电路的设计提供了较高的安全裕度，降低了因电压过冲导致损坏的风险。

在电气参数方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为3160pF，这些参数共同决定了器件的动态开关特性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其适用于环境温度变化剧烈的应用场合。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以联系官方授权的AOS总代理以获取原厂正品与完整的技术资料。

基于其高压、中电流与稳健的封装特性，AOK10N90非常适合于需要高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）等领域的功率开关应用。TO-247封装提供了优异的散热性能，便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出，从而在连续大功率工作中维持稳定的性能。

• 制造商产品型号：AOK10N90
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 900V 10A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：980 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：75nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3160pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：403W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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