


AOK10N90是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款高压N沟道功率MOSFET,采用成熟的平面MOSFET技术,封装于标准的TO-247通孔封装中,为高电压、大功率应用提供了可靠的半导体解决方案。其核心设计旨在实现高阻断电压下的高效开关与功率处理能力,内部结构优化了电流通路与电场分布,以应对严苛的工作环境。
该器件具备900V的漏源击穿电压(Vdss),这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动与开关尖峰。在25°C壳温(Tc)条件下,其连续漏极电流(Id)额定值为10A,结合403W的最大功率耗散能力,展现了出色的功率承载潜力。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、5A漏极电流条件下最大值为980毫欧,较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。栅极电荷(Qg)最大值仅为75nC @ 10V,配合±30V的最大栅源电压(Vgs)容限,意味着它能够实现较快的开关速度,同时为栅极驱动电路的设计提供了较高的安全裕度,降低了因电压过冲导致损坏的风险。
在电气参数方面,其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 250A,确保了良好的噪声免疫能力。输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为3160pF,这些参数共同决定了器件的动态开关特性。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)使其适用于环境温度变化剧烈的应用场合。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以联系官方授权的AOS总代理以获取原厂正品与完整的技术资料。
基于其高压、中电流与稳健的封装特性,AOK10N90非常适合于需要高可靠性的离线式开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器以及不同断电源(UPS)等领域的功率开关应用。TO-247封装提供了优异的散热性能,便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出,从而在连续大功率工作中维持稳定的性能。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK10N90现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
