AOK160A60技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS5系列中的一员，AOK160A60是一款采用先进的平面MOSFET技术制造的N沟道功率器件。其核心架构旨在实现高电压下的高效率与可靠性，通过优化的单元设计和工艺制程，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，有效平衡了导通损耗与开关性能。该器件采用TO-247通孔封装，为散热管理提供了坚实的物理基础，确保在高达250W（Tc）的功率耗散能力下稳定工作，结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。

在电气特性方面，低导通电阻（Rds(on)）是其突出优势，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC @ 10V，结合2340pF @ 100V的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V @ 250A，并与±20V的最大栅源电压相结合，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与易用性。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时高达24A，展现了强大的电流处理能力。稳健的TO-247封装不仅便于安装，也利于通过散热器将热量高效导出，是构建高功率密度解决方案的理想选择。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购，可以获得原厂保证的产品与专业服务。

基于600V的耐压和优异的开关特性，AOK160A60非常适用于工业电源、服务器/电信整流器、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）等中高功率开关场景。它在功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器及电机驱动等电路中扮演关键开关角色，其低损耗特性有助于提升整体能效，满足现代电力电子系统对高效率和高可靠性的持续追求。

• 型号:AOK160A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOK160A60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。