AOK160A60技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS5系列中的一员，AOK160A60是一款采用先进的平面MOSFET技术制造的N沟道功率器件。其核心架构旨在实现高电压下的高效率与可靠性，通过优化的单元设计和工艺制程，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，有效平衡了导通损耗与开关性能。该器件采用TO-247通孔封装，为散热管理提供了坚实的物理基础，确保在高达250W（Tc）的功率耗散能力下稳定工作，结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。

在电气特性方面，低导通电阻（Rds(on)）是其突出优势，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC @ 10V，结合2340pF @ 100V的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V @ 250A，并与±20V的最大栅源电压相结合，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与易用性。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时高达24A，展现了强大的电流处理能力。稳健的TO-247封装不仅便于安装，也利于通过散热器将热量高效导出，是构建高功率密度解决方案的理想选择。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购，可以获得原厂保证的产品与专业服务。

基于600V的耐压和优异的开关特性，AOK160A60非常适用于工业电源、服务器/电信整流器、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）等中高功率开关场景。它在功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器及电机驱动等电路中扮演关键开关角色，其低损耗特性有助于提升整体能效，满足现代电力电子系统对高效率和高可靠性的持续追求。

• 制造商产品型号：AOK160A60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOK160A60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。