AON2406技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AON2406采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高功率密度。该器件基于优化的单元设计和低电阻率硅材料，有效降低了导通电阻和寄生电容，从而在开关应用中显著减少了传导损耗和开关损耗。其紧凑的6-DFN-EP（2x2）封装不仅提供了出色的热性能，便于表面贴装，还确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

在功能特性上，AON2406具备20V的漏源电压（Vdss）额定值和高达8A的连续漏极电流能力，使其能够承受较高的功率负载。其关键优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压和8A漏极电流条件下，最大值仅为12.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，该器件拥有优异的栅极驱动特性，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而栅极电荷（Qg）在4.5V下最大仅为18nC，这有助于实现快速开关并降低驱动电路的功耗，对于高频应用尤为重要。

在接口与电气参数方面，AON2406支持1.5V至4.5V的典型栅极驱动电压范围，最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了灵活的驱动兼容性。其输入电容（Ciss）在10V下最大为1140pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关速度。器件的最大功率耗散为2.8W（环境温度下），确保了可靠的散热性能。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方AOS代理商获取完整的规格书、样品及供应链服务。

该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在同步整流、电池保护电路中表现突出，而小尺寸封装则契合了现代电子产品小型化的趋势。无论是工业自动化、消费电子还是通信基础设施，AON2406都能提供稳定、高效的功率开关解决方案。

• 型号:AON2406
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1140 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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