AOK27S60L技术参数

AOK27S60L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为高电压、大电流的功率开关应用而设计，在系统效率、功率密度和可靠性方面提供了优异的性能平衡。

其核心架构采用了优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷。这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，对于提升整体系统效率至关重要。该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达27A的连续漏极电流能力，确保了其在严苛工况下的稳健性。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、13.5A电流下仅为160毫欧，有效减少了功率耗散。同时，较低的栅极电荷（Qg）最大值26nC（@10V）简化了驱动电路设计，有助于实现更快的开关速度并降低驱动损耗。

在电气参数方面，AOK27S60L支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具有良好的噪声抑制能力。器件在壳温条件下的最大功率耗散可达357W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应高温环境下的持续运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

凭借其高耐压、低导通阻抗和高功率处理能力，该MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括工业电源、服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器中的主开关或同步整流，以及电机驱动、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等系统中的功率开关部分。其TO-247封装提供了良好的散热路径，便于通过散热器进行热管理，满足高功率密度设计的需要。

• 制造商产品型号：AOK27S60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 27A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1294pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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