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AON7404G技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN
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AON7404G技术参数详情说明:

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON7404G 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET,其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。该器件采用紧凑的8-DFN-EP(3x3)封装,集成了裸露焊盘以优化热性能,使其在有限的PCB空间内也能高效散热,这对于高密度电源设计至关重要。其架构优化了栅极电荷与导通电阻的平衡,是追求高效率与高功率密度的现代电源解决方案的理想选择。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气参数。在4.5V的驱动电压下,其导通电阻(RDS(on))典型值低至5.3毫欧,这一极低的RDS(on)直接转化为更低的传导损耗,显著提升了系统整体效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为45nC,结合较低的栅极阈值电压(VGS(th)),意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟被大幅降低,有利于实现更高频率的开关操作,从而减小外围无源元件的尺寸。

在接口与参数方面,AON7404G具备20V的漏源击穿电压(VDSS)和高达20A的连续漏极电流能力,为负载点(POL)转换、电机驱动和电源开关等应用提供了充足的电压与电流裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的规格书、样品以及设计支持服务。

基于其高性能指标,AON7404G非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。它常被用于笔记本电脑、服务器、显卡等设备的同步整流和DC-DC降压转换器中,作为主开关或同步整流管。此外,在无人机电调、便携式工具、低压电机控制模块以及各类电池保护与负载开关电路中,它也能发挥其低损耗、快速响应的优势,是工程师实现高效能、小型化电源设计的可靠组件。

  • 制造商产品型号:AON7404G
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta),20A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 20A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):45nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3300pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):5W(Ta),28W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AON7404G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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