AON7404G技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON7404G 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，集成了裸露焊盘以优化热性能，使其在有限的PCB空间内也能高效散热，这对于高密度电源设计至关重要。其架构优化了栅极电荷与导通电阻的平衡，是追求高效率与高功率密度的现代电源解决方案的理想选择。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气参数。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至5.3毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为45nC，结合较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟被大幅降低，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小外围无源元件的尺寸。

在接口与参数方面，AON7404G具备20V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达20A的连续漏极电流能力，为负载点（POL）转换、电机驱动和电源开关等应用提供了充足的电压与电流裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的规格书、样品以及设计支持服务。

基于其高性能指标，AON7404G非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。它常被用于笔记本电脑、服务器、显卡等设备的同步整流和DC-DC降压转换器中，作为主开关或同步整流管。此外，在无人机电调、便携式工具、低压电机控制模块以及各类电池保护与负载开关电路中，它也能发挥其低损耗、快速响应的优势，是工程师实现高效能、小型化电源设计的可靠组件。

• 型号:AON7404G
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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