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AOK50B60D1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 100A 312W TO247
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AOK50B60D1技术参数详情说明:

AOK50B60D1是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管,实现了优化的载流子寿命控制。这种架构在保持IGBT传统高电流密度和低导通压降优势的同时,显著改善了开关特性,使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色,尤其适合高频应用场景。

该器件具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续集电极电流为100A,脉冲电流能力可达168A,为系统提供了充足的功率裕量。在关键的导通损耗方面,在15V栅极驱动电压和50A集电极电流条件下,其饱和压降Vce(on)典型值仅为2.4V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时,其开关性能经过精心优化,总栅极电荷仅为64nC,这降低了驱动电路的负担和损耗;在400V、50A的测试条件下,其开通延迟时间为26ns,关断延迟时间为68ns,开关能量分别为2.37mJ和500J,配合132ns的反向恢复时间,确保了快速、干净的开关瞬态,有助于减少开关损耗和电磁干扰。

AOK50B60D1采用工业标准的TO-247-3通孔封装,具有良好的机械强度和散热能力,其最大功耗为312W。其结温工作范围宽广,从-55°C到150°C,保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理获取该产品。这些优异的参数组合使其成为要求高效率和高功率密度设计的理想选择。

基于其性能特点,该器件主要面向中大功率的能源转换领域。它非常适合用于三相电机驱动、变频器和伺服驱动器中的逆变桥臂,能够高效处理频繁的开关动作和高负载电流。此外,在焊接设备、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器和工业开关电源的功率因数校正(PFC)及DC-AC逆变级中,AOK50B60D1也能凭借其低损耗和快速开关特性,帮助系统提升能效等级、减小体积并增强可靠性,满足现代电力电子设备对性能与成本的综合要求。

  • 制造商产品型号:AOK50B60D1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 100A 312W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):168A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:312W
  • 开关能量:2.37mJ(开),500J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:64nC
  • 25°C时Td(开/关)值:26ns/68ns
  • 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):132ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK50B60D1现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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