

AO7600_001技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技术参数:MOSFET N/P-CH SC70-6
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AO7600_001技术参数详情说明:
AO7600_001是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用SC70-6(SOT-363)紧凑型封装的N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列。该器件集成了一个N-MOSFET和一个P-MOSFET,构成一个完整的互补对,其设计基于先进的平面MOSFET工艺,旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种集成化架构为空间受限的应用提供了高效的解决方案,减少了外部元件数量和PCB布局面积,同时确保了信号路径的对称性和一致性。
该芯片的核心特性在于其优异的电气性能。在20V的漏源电压(Vdss)额定值下,每个MOSFET在25°C环境温度下可连续通过高达900mA的漏极电流。其导通电阻(Rds(on))在典型工作条件下表现出色,最大值仅为300毫欧(在900mA,Vgs=4.5V时),这有助于显著降低导通损耗,提升整体能效。同时,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为900mV(在250A时),结合最大仅1.9nC的栅极电荷(Qg,在4.5V时)和最大120pF的输入电容(Ciss,在10V时),共同确保了快速的开关速度和较低的驱动功率需求,非常适合高频开关或需要精密信号控制的场合。
在接口与参数方面,AO7600_001采用标准的表面贴装形式,封装为微型化的6引脚TSSOP(SC-88,SOT-363),便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,能够适应严苛的环境条件。最大功耗为300mW,用户在设计散热时需将此参数纳入考量。尽管该产品目前已处于停产状态,但对于既有设计的维护或特定批量的采购,仍可通过官方渠道或其授权的AOS总代理进行咨询。
得益于其互补对结构和小尺寸特性,AO7600_001非常适用于需要电平转换、电源路径管理或信号切换的便携式电子设备。典型应用场景包括手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路以及数据线接口的模拟开关。此外,在电机驱动、传感器模块的H桥电路预驱动级,或作为微控制器I/O口的缓冲/保护器件中,它也能发挥重要作用,为系统提供紧凑、高效的功率与信号处理方案。
- 制造商产品型号:AO7600_001
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N/P-CH SC70-6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 和 P 沟道互补型
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):900mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):300 毫欧 @ 900mA,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.9nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):120pF @ 10V
- 功率-最大值:300mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO7600_001现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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